Äskettäin monet ystävät kysyivät molybdeeniruiskutuskohteiden ominaisuuksista.Mitä vaatimuksia molybdeeniruiskutuskohteiden ominaisuuksille asetetaan elektroniikkateollisuudessa sputterointitehokkuuden parantamiseksi ja kerrostetun kalvon laadun varmistamiseksi?Nyt RSM:n tekniset asiantuntijat selittävät sen meille.
1. Puhtaus
Korkea puhtaus on molybdeenin sputterointikohteen perusvaatimus.Mitä korkeampi molybdeenikohteen puhtaus on, sitä parempi on sputteroidun kalvon suorituskyky.Yleensä molybdeenin sputterointikohteen puhtauden tulee olla vähintään 99,95 % (massaosuus, sama alla).Lasisubstraatin koon jatkuvan parantamisen myötä LCD-teollisuudessa kuitenkin johdotuksen pituutta on pidennettävä ja linjan leveyttä on oltava ohuempi.Kalvon tasaisuuden ja johdotuksen laadun varmistamiseksi molybdeeniruiskutuskohteen puhtautta on myös lisättävä vastaavasti.Siksi sputteroidun lasisubstraatin koosta ja käyttöympäristöstä riippuen molybdeenin sputterointikohteen puhtauden on oltava 99,99 % – 99,999 % tai jopa korkeampi.
Molybdeenisputterointikohdetta käytetään katodilähteenä sputteroinnissa.Epäpuhtaudet kiinteissä aineissa ja happi ja vesihöyry huokosissa ovat pääasiallisia saastelähteitä kerrostuneille kalvoille.Lisäksi elektroniikkateollisuudessa, koska alkalimetalli-ioneista (Na, K) tulee helposti liikkuvia ioneja eristekerroksessa, alkuperäisen laitteen suorituskyky heikkenee;Alkuaineet, kuten uraani (U) ja titaani (TI), vapautuvat α-röntgenissä, mikä johtaa laitteiden pehmeään hajoamiseen;Rauta- ja nikkeli-ionit aiheuttavat rajapinnan vuotoa ja happielementtien lisääntymistä.Siksi molybdeeniruiskutuskohteen valmistusprosessissa näitä epäpuhtauselementtejä on valvottava tiukasti niiden pitoisuuden minimoimiseksi kohteessa.
2. Raekoko ja kokojakauma
Yleensä molybdeenin sputterointikohde on monikiteinen rakenne, ja raekoko voi vaihdella mikronista millimetriin.Kokeelliset tulokset osoittavat, että hienoraekohteen sputterointinopeus on nopeampi kuin karkearaekohteen;Kohteessa, jossa raekokoero on pieni, kerrostetun kalvon paksuusjakauma on myös tasaisempi.
3. Kiteen suuntaus
Koska sputteroinnin aikana kohdeatomeja on helppo sputteroida ensisijaisesti lähimmän atomien järjestelyn suunnassa kuusikulmaisessa suunnassa, suurimman sputterointinopeuden saavuttamiseksi sputterointinopeutta usein nostetaan muuttamalla kohteen kiderakennetta.Kohteen kidesuunnalla on myös suuri vaikutus sputteroidun kalvon paksuuden tasaisuuteen.Siksi on erittäin tärkeää saada tietty kideorientoitunut kohderakenne kalvon sputterointiprosessia varten.
4. Tiheyttäminen
Kun ruiskutuspäällystysprosessissa pienitiheyksistä sputterointikohdetta pommitetaan, kohteen sisähuokosissa oleva kaasu vapautuu yhtäkkiä, mikä johtaa suurikokoisten kohdehiukkasten tai hiukkasten roiskumiseen tai kalvomateriaalia pommitetaan. sekundäärielektronien vaikutuksesta kalvon muodostumisen jälkeen, mikä johtaa hiukkasten roiskumiseen.Näiden hiukkasten ulkonäkö heikentää kalvon laatua.Huokosten vähentämiseksi kohdekiintoaineessa ja kalvon suorituskyvyn parantamiseksi sputterointikohteelta vaaditaan yleensä korkea tiheys.Molybdeenin sputterointikohteen suhteellisen tiheyden tulisi olla yli 98 %.
5. Kohteen ja alustan sitominen
Yleensä molybdeeniruiskutuskohde on liitettävä hapettomaan kupari- (tai alumiini- ja muihin materiaaleihin) runkoon ennen sputterointia, jotta kohteen ja rungon lämmönjohtavuus on hyvä sputterointiprosessin aikana.Sidonnan jälkeen on suoritettava ultraäänitarkastus sen varmistamiseksi, että molempien kiinnittymätön alue on alle 2 %, jotta ne täyttävät suuren tehon sputteroinnin vaatimukset putoamatta.
Postitusaika: 19.7.2022