Tavoitteella on monia vaikutuksia, ja markkinoiden kehitystila on suuri.Se on erittäin hyödyllinen monilla aloilla.Lähes kaikki uudet sputterointilaitteet käyttävät voimakkaita magneetteja elektronien kierteittämiseen kiihdyttämään argonin ionisaatiota kohteen ympärillä, mikä lisää kohteen ja argon-ionien välisen törmäyksen todennäköisyyttä.Katsotaanpa nyt sputterointikohteen roolia tyhjiöpinnoituksessa.
Paranna sputterointinopeutta.Yleensä DC-sputterointia käytetään metallin pinnoittamiseen, kun taas RF-AC-sputterointia käytetään johtamattomissa keraamisissa magneettisissa materiaaleissa.Perusperiaate on käyttää hehkupurkausta lyömään argon- (AR)-ioneja kohteen pinnalla tyhjiössä, jolloin plasman kationit kiihtyvät nousemaan negatiivisen elektrodin pinnalle roiskeena.Tämä isku saa kohteen materiaalin lentämään ulos ja laskeutumaan alustalle muodostaen kalvon.
Yleisesti ottaen sputterointiprosessilla tapahtuvalla kalvopinnoituksella on useita ominaisuuksia: (1) metallista, metalliseoksesta tai eristeestä voidaan tehdä kalvodataa.
(2) Sopivissa kiinnitysolosuhteissa saman koostumuksen omaava kalvo voidaan valmistaa useista ja epäjärjestyneistä kohteista.
(3) Kohdemateriaalin ja kaasumolekyylien seos tai yhdiste voidaan valmistaa lisäämällä happea tai muita aktiivisia kaasuja poistoilmakehään.
(4) Tavoitetulovirtaa ja sputterointiaikaa voidaan ohjata, ja on helppo saada erittäin tarkka kalvon paksuus.
(5) Muihin prosesseihin verrattuna se edistää laaja-alaisten yhtenäisten kalvojen tuotantoa.
(6) Painovoima ei vaikuta sputteroituihin hiukkasiin, ja kohteen ja substraatin paikat voidaan järjestää vapaasti.
Postitusaika: 17.5.2022