Piipohjaista fotoniikkaa pidetään tällä hetkellä seuraavan sukupolven fotoniikkaalustana sulautettua viestintää varten.Pienikokoisten ja pienitehoisten optisten modulaattoreiden kehittäminen on kuitenkin edelleen haaste.Tässä raportoimme jättimäisestä sähköoptisesta vaikutuksesta Ge / SiGe -kytketyissä kvanttikuivoissa.Tämä lupaava vaikutus perustuu poikkeavaan kvantti-Stark-ilmiöön, joka johtuu elektronien ja reikien erillisestä rajoituksesta kytketyissä Ge/SiGe-kvanttikaivoissa.Tätä ilmiötä voidaan käyttää parantamaan merkittävästi valomodulaattoreiden suorituskykyä verrattuna piifotoniikassa tähän mennessä kehitettyihin standardimenetelmiin.Olemme mitanneet taitekertoimen muutoksia arvoon 2,3 × 10-3 asti 1,5 V:n esijännitteellä vastaavalla modulaatiotehokkuudella VπLπ 0,046 Vcm.Tämä esittely tasoittaa tietä tehokkaiden nopeiden vaihemodulaattoreiden kehittämiselle, jotka perustuvat Ge/SiGe-materiaalijärjestelmiin.
Postitusaika: 06.06.2023